標準征求意見！2項AlN拋光片測試 * + UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試 * 征求意見！

快訊 2025年02月08日 17:15 45 admin

重要通知：2月26-28日，2025功率半導體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇將在重慶召開。即刻報名參會，還能參觀考察龍頭大廠對接合作！

近日，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟相繼完成3項團體標準征求意見稿的編制，正式面向聯(lián)盟成員單位征求意見，為期一個月。

》》UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試 *** 征求意見

2025年1月23日，由電子科技大學牽頭起草的標準T/CASAS 052—202X《非鉗位感性負載開關(guān)應(yīng)力下GaN HEMT在線測試 *** 》已完成征求意見稿的編制，正式面向聯(lián)盟成員單位征求意見，為期一個月。征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。T/CASAS 052—202X《非鉗位感性負載開關(guān)應(yīng)力下GaN HEMT在線測試 *** 》描述了執(zhí)行非鉗位感性負載應(yīng)力下氮化鎵高電子遷移率晶體管在線測試 *** ，包括測試原理、測試條件、測試程序、數(shù)據(jù)處理和試驗報告。

本文件適用于適用于封裝級GaN HEMT器件的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測試、可靠性評估及應(yīng)用評估等工作場景。

電子科技大學功率集成技術(shù)實驗室（Power Integrated Technology Lab, PITeL）隸屬于電子科技大學集成電路科學與工程學院，為四川省功率半導體技術(shù)工程研究中心，是電子薄膜與集成器件全國重點實驗室和電子科技大學集成電路研究中心的重要組成部分。現(xiàn)有18名教授/研究員、9名副教授/副研究員，285名在讀全日制碩士研究生和69名博士研究生，被國際同行譽為“全球功率半導體技術(shù)領(lǐng)域更大的學術(shù)研究團隊”和 “功率半導體領(lǐng)域研究最為全面的學術(shù)團隊”。在團隊負責人張波教授的帶領(lǐng)下，該實驗室兩次牽頭取得國家科學技術(shù)進步獎二等獎和四川省科學技術(shù)進步獎一等獎，共獲省部級以上科研獎勵15項。近年來，實驗室共發(fā)表SCI收錄論文500余篇，獲授權(quán)發(fā)明專利1462項。同時，其產(chǎn)學研合作成效顯著，部分產(chǎn)品打破國外壟斷、實現(xiàn)批量生產(chǎn)，為企業(yè)新增直接經(jīng)濟效益超過百億元，推動了我國功率半導體行業(yè)的發(fā)展。

》》2項AlN拋光片測試 *** 征求意見

2025年1月23日，由奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司牽頭起草的標準T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯密度檢測 *** 腐蝕坑密度測量法》、由中國科學院半導體研究所牽頭起草的標準T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數(shù)測試 *** 》已完成征求意見稿的編制，正式面向聯(lián)盟成員單位征求意見，為期一個月。征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位。非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至casas@casa-china.cn。

T/CASAS 053—202X《氮化鋁晶片位錯密度檢測 *** 腐蝕坑密度測量法》描述了用擇優(yōu)化腐蝕技術(shù)測試氮化鋁拋光片中位錯密度的 *** ，包括 *** 原理、儀器設(shè)備、測試條件、樣品、測試步驟、結(jié)果計算和測試報告。本文件適用于拋光加工后位錯密度小于10*7 個/cm2的氮化鋁拋光片位錯密度的測試，適用于1英寸、2英寸、3英寸、4英寸直徑氮化鋁拋光片的測試。氮化鋁外延片可參照使用。

T/CASAS 054—202X《氮化鋁晶片吸收系數(shù)測試 *** 》描述了氮化鋁（AlN）拋光片光吸收系數(shù)的測試 *** ，包括原理、儀器設(shè)備、測試條件、樣品、測試步驟、結(jié)果計算和測試報告。本文件適用于氮化鋁拋光片的光學質(zhì)量控制和評估。氮化鋁外延片可參照使用。

標準征求意見！2項AlN拋光片測試方法+ UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法征求意見！